Новое поколение систем связи и источников питания разрабатывают в Академгородке
Фото ИФП СО РАН: образец выращенного материала на кремниевой подложке
Сибирские учёные работают над созданием технологии синтеза полупроводников для силовой и СВЧ-электроники.
Накануне в СО РАН вручили премию имени К. К. Свиташева за первые результаты. Лауреат — Денис Милахин, заведующий молодёжной лабораторией № 18 Института физики полупроводников СО РАН. Его работа связана с созданием нитрид-галлиевых гетероэпитаксиальных структур на кремнии.
Этот материал используют в производстве транзисторов для систем связи 5G, радиолокации, быстрых зарядок и преобразователей энергии.
