Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН поделился информацией о главных достижениях
Институту физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН исполняется 60 лет. К юбилейной дате ученые собрали список из шести главных открытий научного учреждения. 1. Первые «флешки» — многоэлементные полупроводниковые элементы памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник. 2. Оборудование собственного производства для роста тонких полупроводниковых пленок ― установки молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Это установки, которые позволяют выращивать … Подробнее